| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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0912LD20
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
20 Watts, 28 Volts Pulsed Avionics 960 to 1215 MHz LDMOS FET 20瓦， 28伏特，脉冲航空电子设备960到1215 MHz的LDMOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 脉冲 电子 放大器 航空 局域网 | |||
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1011LD110
中文翻译 品牌: ADPOW |
110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET 110瓦， 32伏特，脉冲航空电子1030年至1090年兆赫LDMOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 脉冲 电子 放大器 航空 局域网 | |||
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1011LD200
中文翻译 品牌: ADPOW |
200 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET 200瓦， 32伏特，脉冲航空电子1030年至1090年兆赫LDMOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 脉冲 电子 放大器 航空 局域网 | |||
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1011LD300
中文翻译 品牌: ADPOW |
300 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET 300瓦， 32伏特，脉冲航空电子1030年至1090年兆赫LDMOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 脉冲 电子 放大器 航空 局域网 | |||
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2SK2597
中文翻译 品牌: NEC |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FOR BASE STATION OF 900 MHz BAND CELLULAR PHONE POWER AMPLIFICATION N沟道硅功率MOSFET为900 MHz频段的手机功率放大基站 |
手机 蜂窝 移动电话 | |||
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BLA0912-250
中文翻译 品牌: NXP |
Avionics LDMOS transistor 航空电子LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 电子 航空 | ||
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BLA0912-250R
中文翻译 品牌: NXP |
Avionics LDMOS power transistor 航空电子LDMOS功率晶体管 |
晶体 晶体管 电子 航空 | |||
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BLA1011-10
中文翻译 品牌: NXP |
Avionics LDMOS transistor 航空电子LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 电子 航空 | ||
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BLA1011-2
中文翻译 品牌: NXP |
Avionics LDMOS transistor 航空电子LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 电子 航空 | ||
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BLA1011S-200
中文翻译 品牌: NXP |
Avionics LDMOS transistor 航空电子LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 电子 航空 | ||
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BLA1011S-200R
中文翻译 品牌: NXP |
Avionics LDMOS transistors 航空电子LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 电子 航空 | |||
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BLA6H0912-500
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS avionics radar power transistor LDMOS航空电子雷达功率晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 电子 放大器 航空 局域网 | |||
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BLA6H1011-600
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS avionics power transistor 航空电子LDMOS功率晶体管 |
晶体 晶体管 电子 航空 | ||
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NE1280100
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, DIE | 放大器 晶体管 | ||
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NE1280200
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, DIE | 放大器 晶体管 | |||
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NE1280400
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, DIE-3 | 放大器 晶体管 | |||
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NE5500179A
中文翻译 品牌: NEC |
SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET |
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NE5500179A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5500179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 5.70 X 5.70 MM, 1.10 MM HEIGHT, 79A, 4 PIN | 晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5500479A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 放大器 晶体管 | |||
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NE5500479A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | ||||
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NE5510179A
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
放大器 射频 | |||
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NE5510179A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 | |||
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NE5510179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
暂无描述 | 晶体 放大器 射频场效应晶体管 | |||
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NE5510279A
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM | |||
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NE5510279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM | |||
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NE5510279A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | ||||
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NE5511279A
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5511279A-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 晶体 射频场效应晶体管 放大器 | ||
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NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 |