| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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E28F016XD-85
中文翻译 品牌: INTEL |
16-MBIT (1 MBIT x 16) DRAM-INTERFACE FLASH MEMORY 16 - MBIT （1 MBIT ×16） DRAM的接口FLASH存储器 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | ||
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LPC2880
中文翻译 品牌: NXP |
16/32-bit ARM microcontrollers; 8 kB cache, up to 1 MB flash, Hi-Speed USB 2.0 device, and SDRAM memory interface 16位/ 32位ARM微控制器; 8 KB的高速缓存，高达1 MB |
闪存 存储 微控制器 动态存储器 | |||
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LPC2880FET180
中文翻译 品牌: NXP |
16/32-bit ARM microcontrollers; 8 kB cache, up to 1 MB flash, Hi-Speed USB 2.0 device, and SDRAM memory interface 16位/ 32位ARM微控制器; 8 KB的高速缓存，高达1 MB |
闪存 存储 微控制器 动态存储器 | ||
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LPC2888
中文翻译 品牌: NXP |
16/32-bit ARM microcontrollers; 8 kB cache, up to 1 MB flash, Hi-Speed USB 2.0 device, and SDRAM memory interface 16位/ 32位ARM微控制器; 8 KB的高速缓存，高达1 MB |
闪存 存储 微控制器 动态存储器 | |||
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LPC2888FET180
中文翻译 品牌: NXP |
16/32-bit ARM microcontrollers; 8 kB cache, up to 1 MB flash, Hi-Speed USB 2.0 device, and SDRAM memory interface 16位/ 32位ARM微控制器; 8 KB的高速缓存，高达1 MB |
闪存 存储 微控制器 动态存储器 | ||
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LPC2888FET180/01
中文翻译 品牌: NXP |
16/32-bit ARM microcontrollers; 8 kB cache, up to 1 MB flash, Hi-Speed USB 2.0 device, and SDRAM memory interface 16位/ 32位ARM微控制器; 8 KB的高速缓存，高达1 MB |
闪存 存储 微控制器和处理器 外围集成电路 动态存储器 时钟 | ||
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LPC2888FET180/01-S
中文翻译 品牌: NXP |
LPC2888FET180/01-S | 闪存 存储 微控制器和处理器 外围集成电路 动态存储器 时钟 | |||
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LPC2888FET180/D1
中文翻译 品牌: NXP |
16/32-bit ARM microcontrollers; 8 kB cache, up to 1 MB flash, Hi-Speed USB 2.0 device, and SDRAM memory interface 16位/ 32位ARM微控制器; 8 KB的高速缓存，高达1 MB |
闪存 存储 微控制器 动态存储器 | ||
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LPC2888FET180/D1-S
中文翻译 品牌: NXP |
LPC2888FET180/D1-S | 闪存 存储 微控制器 动态存储器 | |||
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M39P0R1080E4
中文翻译 品牌: NUMONYX |
512 Mb or 1 Gb (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 256 Mbit low power SDRAM, 1.8 V supply, multichip package 512 MB或1 GB（ X16 ，多银行 |
闪存 动态存储器 | |||
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M39P0R1080E4ZASE
中文翻译 品牌: NUMONYX |
512 Mb or 1 Gb (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 256 Mbit low power SDRAM, 1.8 V supply, multichip package 512 MB或1 GB（ X16 ，多银行 |
闪存 动态存储器 | ||
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M39P0R1080E4ZASF
中文翻译 品牌: NUMONYX |
512 Mb or 1 Gb (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 256 Mbit low power SDRAM, 1.8 V supply, multichip package 512 MB或1 GB（ X16 ，多银行 |
闪存 内存集成电路 动态存储器 | ||
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M39P0R8070E2
中文翻译 品牌: NUMONYX |
256 or 512Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 128 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package 256或512Mbit的（ X16 ，多 |
闪存 动态存储器 | |||
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M39P0R8070E2ZADE
中文翻译 品牌: NUMONYX |
256 or 512Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 128 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package 256或512Mbit的（ X16 ，多 |
闪存 动态存储器 | |||
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M39P0R8070E2ZADF
中文翻译 品牌: NUMONYX |
256 or 512Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 128 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package 256或512Mbit的（ X16 ，多 |
闪存 存储 内存集成电路 动态存储器 | ||
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M39P0R9070E2
中文翻译 品牌: NUMONYX |
256 or 512Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 128 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package 256或512Mbit的（ X16 ，多 |
闪存 动态存储器 | |||
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M39P0R9070E2ZADE
中文翻译 品牌: NUMONYX |
256 or 512Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 128 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package 256或512Mbit的（ X16 ，多 |
闪存 存储 内存集成电路 动态存储器 | ||
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M39P0R9070E2ZADF
中文翻译 品牌: NUMONYX |
256 or 512Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 128 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package 256或512Mbit的（ X16 ，多 |
闪存 存储 内存集成电路 动态存储器 | ||
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M39P0R9080E4
中文翻译 品牌: NUMONYX |
512 Mb or 1 Gb (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 256 Mbit low power SDRAM, 1.8 V supply, multichip package 512 MB或1 GB（ X16 ，多银行 |
闪存 动态存储器 | |||
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M39P0R9080E4ZASE
中文翻译 品牌: NUMONYX |
512 Mb or 1 Gb (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 256 Mbit low power SDRAM, 1.8 V supply, multichip package 512 MB或1 GB（ X16 ，多银行 |
闪存 存储 内存集成电路 动态存储器 | ||
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M39P0R9080E4ZASF
中文翻译 品牌: NUMONYX |
512 Mb or 1 Gb (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 256 Mbit low power SDRAM, 1.8 V supply, multichip package 512 MB或1 GB（ X16 ，多银行 |
闪存 存储 内存集成电路 动态存储器 | ||
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MT29C4G48MAZAPAKD-5IT
中文翻译 品牌: MICRON |
NAND Flash and Mobile LPDRAM 152-Ball Package-on-Package (PoP) Combination Memory (TI OMAPâ¢) MT29C Family NAND闪存和移动LPDRAM 152球包上封装（PoP ）的内存组合（ TI |
闪存 光电二极管 动态存储器 | |||
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NAND01G-M
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP 256 / 512MB / 1Gb的（ X8 / X16 ， 1.8 / 3V |
闪存 动态存储器 | |||
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NAND01G-N
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package 1千兆（ X8 / X16 ） 2112字节页的NAND闪存和512兆位（ X16 ） L |
闪存 动态存储器 | |||
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NAND01GR3M0AZB5E
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP 256 / 512MB / 1Gb的（ X8 / X16 ， 1.8 / 3V |
闪存 动态存储器 | |||
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NAND01GR3M0AZB5F
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP 256 / 512MB / 1Gb的（ X8 / X16 ， 1.8 / 3V |
闪存 动态存储器 | |||
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NAND01GR3M0AZC5E
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP 256 / 512MB / 1Gb的（ X8 / X16 ， 1.8 / 3V |
闪存 动态存储器 | |||
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NAND01GR3M0AZC5F
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP 256 / 512MB / 1Gb的（ X8 / X16 ， 1.8 / 3V |
闪存 存储 内存集成电路 动态存储器 | |||
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NAND01GR3M0BZB5E
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP 256 / 512MB / 1Gb的（ X8 / X16 ， 1.8 / 3V |
闪存 动态存储器 | |||
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NAND01GR3M0BZB5F
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP 256 / 512MB / 1Gb的（ X8 / X16 ， 1.8 / 3V |
闪存 存储 内存集成电路 动态存储器 |