雷达 - 型号起始 - 放大器; 总记录数：51

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		0910-150M 中文翻译品牌: ADPOW	150 Watts - 48 Volts, 150us, 5% Radar 890 - 1000 MHz 150瓦 - 48伏特，为150us ， 5 ％雷达890 - 1000兆赫	晶体晶体管雷达放大器局域网
		1214-550P 中文翻译品牌: MICROSEMI	550 Watts - 300Î¼s, 10%, 42V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz 550瓦 - 300Î¼s ， 10 ％， 42V L波段脉冲雷达1400至00年兆赫	射频和微波射频放大器微波放大器脉冲雷达
		1214-700P 中文翻译品牌: MICROSEMI	700 Watts - 300μs, 10%, +50V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz 700瓦 - 300μS ，10％， + 50V L波段脉冲雷达1400至00年兆赫	脉冲雷达
		1214-800P 中文翻译品牌: MICROSEMI	800 Watts - 300μs, 10%, +50V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz 800瓦 - 300μS ，10％， + 50V L波段脉冲雷达1400至00年兆赫	射频和微波射频放大器微波放大器脉冲雷达
		2729-300P 中文翻译品牌: MICROSEMI	300 Watts - 100μs, 10%, 36V S-Band Pulsed Radar 2700 - 2900 MHz 300瓦 - 为100μs ，10％， 36V S波段脉冲雷达2700年至2900年兆赫	射频和微波射频放大器微波放大器脉冲雷达
		3134-200P 中文翻译品牌: MICROSEMI	200 Watts - 100μs, 10%, 36V S-Band Pulsed Radar 3100 - 3400 MHz 200瓦 - 为100μs ，10％， 36V S波段脉冲雷达3100 - 3400兆赫	射频和微波射频放大器微波放大器脉冲雷达
		AM1214-130 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS 射频功率晶体管L波段雷达应用	晶体射频双极晶体管雷达放大器局域网
		AM81214-015 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS L波段雷达应用的射频和微波晶体管	晶体射频和微波射频双极晶体管雷达放大器局域网
		AM82731-003 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS 射频与微波晶体管S波段雷达应用	晶体射频双极晶体管微波雷达放大器局域网
		AM82731-012 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS 射频与微波晶体管S波段雷达应用	晶体晶体管射频微波雷达放大器局域网
		AM82731-050 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS 射频与微波晶体管S波段雷达应用	晶体射频双极晶体管微波雷达放大器局域网
		BLA6H0912-500 中文翻译品牌: NXP	LDMOS avionics radar power transistor LDMOS航空电子雷达功率晶体管	晶体射频场效应晶体管雷达电子放大器航空局域网
		BLL1214-250 中文翻译品牌: NXP	L-band radar LDMOS transistor L波段雷达的LDMOS晶体管	晶体射频场效应晶体管雷达放大器局域网
		BLL6H1214-500 中文翻译品牌: NXP	LDMOS L-band radar power transistor LDMOS L波段雷达功率晶体管	晶体晶体管雷达放大器局域网
		BLS6G2731-120 中文翻译品牌: NXP	LDMOS S-band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管	晶体射频场效应晶体管雷达放大器局域网
		BLS6G2933S-130 中文翻译品牌: NXP	LDMOS S-band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管	晶体射频场效应晶体管雷达放大器局域网
		BLS6G3135-120 中文翻译品牌: NXP	LDMOS S-Band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管	晶体射频场效应晶体管雷达放大器局域网
		BLS6G3135-20 中文翻译品牌: NXP	LDMOS S-Band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管	晶体射频场效应晶体管雷达放大器局域网
		BLS6G3135S-120 中文翻译品牌: NXP	LDMOS S-Band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管	晶体射频场效应晶体管雷达放大器
		BLS7G2729LS-350P 中文翻译品牌: NXP	LDMOS S-band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管	晶体射频场效应晶体管雷达放大器
		MS2228 中文翻译品牌: ADPOW	RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS 射频与微波晶体管L波段雷达应用	晶体射频双极晶体管微波雷达放大器局域网
		MS2228 中文翻译品牌: MICROSEMI	RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS 射频与微波晶体管L波段雷达应用	晶体射频双极晶体管微波雷达放大器局域网
		NJM12904E 中文翻译品牌: TE	Radar Pulsed Power Amplifier.190 Watts 2.7.3.1 GHz, 200レs Pulse, 10 Duty 雷达脉冲功率Amplifier.190瓦2.7.3.1千兆赫， 200レs脉冲，占空比10	商用集成电路脉冲光电二极管 ISM频段雷达放大器
		NJM12904M 中文翻译品牌: TE	Radar Pulsed Power Amplifier.190 Watts 2.7.3.1 GHz, 200レs Pulse, 10 Duty 雷达脉冲功率Amplifier.190瓦2.7.3.1千兆赫， 200レs脉冲，占空比10	商用集成电路脉冲光电二极管 ISM频段雷达放大器
		PH1113-100 中文翻译品牌: TE	Radar Pulsed Power Transistor - 100 Watts, 1.1-1.3 GHz, 3ms Pulse, 30% Duty 雷达脉冲功率晶体管 - 100瓦， 1.1-1.3千兆赫， 3毫秒脉冲， 30 ％占空比	晶体晶体管脉冲雷达放大器局域网
		PH1214-20EL 中文翻译品牌: TE	Radar Pulsed Power Transistor 20W, 1.2-1.4 GHz, 2ms Pulse, 10% Duty 雷达脉冲功率晶体管20W ， 1.2-1.4千兆赫，2ms的脉冲， 10 ％占空比	晶体晶体管脉冲雷达放大器局域网
		PH1214-220M 中文翻译品牌: TE	Radar Pulsed Power Transistor - 220 Watts,1.20-1.40 GHz, 150ms Pulse, 10% Duty 雷达脉冲功率晶体管 - 220瓦， 1.20-1.40千兆赫， 150毫秒脉冲， 10 ％占空比	晶体晶体管脉冲雷达放大器局域网
		PH1214-25M 中文翻译品牌: TE	Radar Pulsed Power Transistor - 25 Watts, 1.20-1.40 GHz, 150mS Pulse, 10% Duty 雷达脉冲功率晶体管 - 25瓦， 1.20-1.40千兆赫， 150毫秒脉冲， 10 ％占空比	晶体晶体管脉冲雷达放大器局域网
		PH1214-25S 中文翻译品牌: TE	Radar Pulsed Power Transistor 雷达脉冲功率晶体管	晶体晶体管脉冲雷达放大器局域网
		PH1214-300M 中文翻译品牌: TE	Radar Pulsed Power Transistor, 300 Watts,1.20-1.40 GHz, 150 mS Pulse, 10% Duty 雷达脉冲功率晶体管， 300瓦， 1.20-1.40千兆赫， 150毫秒脉冲， 10 ％占空比	晶体晶体管脉冲雷达放大器局域网

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