107-0,10K,5% - 型号起始 - 晶体管; 总记录数：10000+

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		04023J1R5BBS 中文翻译品牌: FREESCALE	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 异质结双极晶体管技术（的InGaP HBT ）	晶体晶体管
		0806SQ-5N5GLC 中文翻译品牌: FREESCALE	RF Power LDMOS Transistors RF功率LDMOS晶体管	晶体晶体管
		0806SQ5N5GLC 中文翻译品牌: FREESCALE	RF Power LDMOS Transistors RF功率LDMOS晶体管	晶体晶体管
		0910-150M 中文翻译品牌: ADPOW	150 Watts - 48 Volts, 150us, 5% Radar 890 - 1000 MHz 150瓦 - 48伏特，为150us ， 5 ％雷达890 - 1000兆赫	晶体晶体管雷达放大器局域网
		0910-300M 中文翻译品牌: ADPOW	300 Watts - 50 Volts, 150us, 5% Radar 890 - 1000 MHz 300瓦 - 50伏特，为150us ， 5 ％雷达890 - 1000兆赫	晶体射频双极晶体管雷达局域网
		0910-60M 中文翻译品牌: ADPOW	60 Watts - 40 Volts, 150us, 5% Radar 890 - 1000 MHz 60瓦 - 40伏特，为150us ， 5 ％雷达890 - 1000兆赫	晶体晶体管雷达
		10-F0070TA030S5-P982D64 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT S5 High speed and smooth switching Low gate charge Very low collector emitter saturation voltage	双极性晶体管
		10-F0072TA030S5-P982D54 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT S5 High speed and smooth switching Low gate charge Very low collector emitter saturation voltage	双极性晶体管
		10-F0072TA040S503-P983D74 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT S5 High speed and smooth switching Low gate charge Very low collector emitter saturation voltage	双极性晶体管
		10-F4074PA030SM-L623F04 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT H5 High efficiency in hard switching and resonant topologies High speed switching Low gate charge	双极性晶体管
		10-FE06PPA020SJ-LJ01B08Z 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current	双极性晶体管
		10-FE06PPA030SJ03-LK24B18Z 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current	双极性晶体管
		10-FE06PPA030SJ04-LJ02B03Z 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current	双极性晶体管
		10-FY076PA050S501-L822F58 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT S5 High speed and smooth switching Low gate charge Very low collector emitter saturation voltage	双极性晶体管
		10-FY076PA050S502-L822F53 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT S5 High speed and smooth switching Low gate charge Very low collector emitter saturation voltage	双极性晶体管
		10-FY07LBA100S5-PG08J58T 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT S5 High speed and smooth switching Low gate charge Very low collector emitter saturation voltage	双极性晶体管
		10-FZ072TA030SL-PN00D03 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT F5 Highest efficiency in hard switching and resonant topologies Lowest switching losses Optimized for ultra-fast switching	双极性晶体管
		10-FZ073BA050SM07-M576L318 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT H5 High efficiency in hard switching and resonant topologies High speed switching Low gate charge	双极性晶体管
		10-ZB077PA030S5-PH74E58 中文翻译品牌: VINCOTECH	IGBT S5 High speed and smooth switching Low gate charge Very low collector emitter saturation voltage	双极性晶体管
		100A7R5JP150X 中文翻译品牌: FREESCALE	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管
		1134-5 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF PORTABLE/MOBILE APPLICATIONS 射频与微波晶体管VHF便携式/移动应用	晶体晶体管射频微波便携式
		11N60S5 中文翻译品牌: INFINEON	Cool MOS⑩ Power Transistor 酷MOS ™功率晶体管	晶体晶体管
		1214-150L 中文翻译品牌: ADPOW	150 Watts, 36 Volts, 5 ms, 20% Radar 1200 to 1400 MHz 150瓦， 36伏特， 5毫秒， 20 ％雷达1200至1400年兆赫	晶体射频双极晶体管开关雷达局域网
		140/15R6N5GZ 中文翻译品牌: SSDI	Transistor
		150/15R6N5 中文翻译品牌: SSDI	Transistor
		163-04 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16 晶体管\| BJT \| NPN \| 40V V（ BR ） CEO \| 20A I（C ） \| STR - 5月16日\n	晶体晶体管
		163-05 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16 晶体管\| BJT \| NPN \| 50V V（ BR ） CEO \| 20A I（C ） \| STR - 5月16日\n	晶体晶体管
		163-06 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16 晶体管\| BJT \| NPN \| 60V V（ BR ） CEO \| 20A I（C ） \| STR - 5月16日\n	晶体晶体管
		163-07 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 70V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16 晶体管\| BJT \| NPN \| 70V V（ BR ） CEO \| 20A I（C ） \| STR - 5月16日\n	晶体晶体管
		163-08 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| STR-5/16 晶体管\| BJT \| NPN \| 80V V（ BR ） CEO \| 20A I（C ） \| STR - 5月16日\n	晶体晶体管

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