品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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10AM20
中文翻译 品牌: NJSEMI |
20 Watts, 20 Volts, Class A Linear to 1000 MHz 20瓦, 20伏特,A类线性至1000 MHz |
晶体 射频双极晶体管 | |||
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1214-110M
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
110 Watts - 50 Volts, 330μs, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 110瓦 - 50伏特, 330μs , 10 %雷达1200年至1400年兆赫 |
雷达 | ||
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1214-110V
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
110 Watts - 50 Volts, 330μs, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 110瓦 - 50伏特, 330μs , 10 %雷达1200年至1400年兆赫 |
晶体 射频双极晶体管 雷达 局域网 | |||
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1214-220M
中文翻译 品牌: ADPOW |
220 Watts - 40 Volts, 150ms, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 220瓦 - 40伏, 150毫秒, 10%的雷达一二零零年至1400年兆赫 |
晶体 射频双极晶体管 开关 雷达 局域网 | |||
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1214-370M
中文翻译 品牌: ADPOW |
370 Watts - 50 Volts, 330 ms, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 370瓦 - 50伏, 330毫秒, 10 %雷达1200年至1400年兆赫 |
雷达 | |||
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1214-370V
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
370 Watts - 50 Volts, 330 μs, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 370瓦 - 50伏, 330微秒, 10 %雷达1200年至1400年兆赫 |
晶体 射频双极晶体管 雷达 局域网 | |||
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2729-125
中文翻译 品牌: ADPOW |
125 Watts, 36 Volts, 100us, 10% Radar 2700-2900 MHz 125瓦, 36伏特, 100us的, 10%的雷达2900至00年兆赫 |
雷达 | |||
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2729-170
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
170 Watts, 38 Volts, 100祍, 10% Radar 2700-2900 MHz 170瓦, 38伏, 100祍, 10 %雷达2700至2900年兆赫 |
晶体 射频双极晶体管 开关 雷达 局域网 | ||
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2731-100M
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
100 Watts, 36 Volts, 200us, 10% Radar 2700-3100 MHz 100瓦, 36伏特,为200us , 10 %雷达2700-3100兆赫 |
雷达 | |||
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3134-100
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
100 Watts, 36 Volts, 100レs, 10% Radar 3100-3400 MHz 100瓦, 36伏, 100レ秒,10 %雷达3100-3400兆赫 |
晶体 射频双极晶体管 雷达 局域网 | |||
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3134-65M
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
65Watts, 34 Volts, 200us, 10% Radar 3100-3400 MHz 65Watts , 34伏,为200us ,10%雷达3100-3400 MHz的 |
晶体 射频双极晶体管 雷达 局域网 | |||
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ASAT10
中文翻译 品牌: ASI |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR NPN硅射频功率晶体管 |
晶体 晶体管 射频 | |||
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BLS2731-10TRAY
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2, BIP RF Power | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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BLS3135-10TRAY
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2, BIP RF Power | 晶体 晶体管 微波 | |||
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BLV10
中文翻译 品牌: NXP |
VHF power transistor 甚高频功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BLW78
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans GP BJT NPN 35V 10A 4-Pin CRFM | ||||
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HF10-12F
中文翻译 品牌: ASI |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR NPN硅射频功率晶体管 |
晶体 晶体管 射频 | |||
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MAPR-001011-850S00
中文翻译 品牌: MACOM |
Avionics Pulsed Power Transistor 850W, 1025-1150 MHz, 10?μs Pulse, 1% Duty | ||||
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MAPR-001090-350S00
中文翻译 品牌: TE |
Avionics Pulsed Power Transistor 350W, 1025-1150 MHz, 10μs Pulse, 1% Duty 航空电子脉冲功率晶体管350W , 1025年至1150年兆赫, 10μs脉冲, 1 %关税 |
晶体 晶体管 脉冲 电子 航空 | |||
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MAPRST0002
中文翻译 品牌: TE |
Radar Pulsed Power Transistor 50W, 1.2-1.4 GHz, 150μs Pulse, 10% Duty 雷达脉冲功率晶体管50W , 1.2-1.4千兆赫, 150μs的脉冲, 10 %占空比 |
晶体 晶体管 脉冲 雷达 局域网 | |||
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MRA1300-10L
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, CASE 360A-01, 3 PIN | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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MS1003
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 10安培肖特基势垒整流器 |
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MS1004
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 10安培肖特基势垒整流器 |
晶体 射频双极晶体管 局域网 | ||
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MS1008
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 10安培肖特基势垒整流器 |
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PH1090-550S
中文翻译 品牌: TE |
Avionics Pulsed Power Transistor - 550 Watts,1030-1090 MHz, 10us Pulse, 1% Duty 航空电子脉冲功率晶体管 - 550瓦, 1030年至1090年兆赫,为10μs脉冲, 1 %关税 |
晶体 晶体管 脉冲 电子 放大器 航空 局域网 | |||
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PH3134-10M
中文翻译 品牌: MACOM |
Bipolar | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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PH3135-65M
中文翻译 品牌: MACOM |
Radar Pulsed Power Transistor 65W, 3.1-3.5 GHz, 100?μs Pulse, 10% Duty | |||
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PTB20008
中文翻译 品牌: ERICSSON |
10 Watts, 935-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor 10瓦, 935-960 MHz蜂窝无线电射频功率晶体管 |
晶体 射频双极晶体管 放大器 蜂窝 无线 局域网 | |||
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PTB20079
中文翻译 品牌: ERICSSON |
10 Watts, 1.6-1.7 GHz INMARSAT RF Power Transistor 10瓦, 1.6-1.7 GHz的射频INMARSAT功率晶体管 |
晶体 射频双极晶体管 放大器 局域网 | |||
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SD1222-10
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.380 INCH, PLASTIC, M104, 4 PIN | 放大器 晶体管 |