品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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7N65G-T2Q-T
中文翻译 品牌: UTC |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 7.4A , 650V N沟道功率MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 | ||
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7N65G-TF1-T
中文翻译 品牌: UTC |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 7.4A , 650V N沟道功率MOSFET |
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7N65G-TF3-T
中文翻译 品牌: UTC |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 7.4A , 650V N沟道功率MOSFET |
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7N65G-TQ2-R
中文翻译 品牌: UTC |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 7.4A , 650V N沟道功率MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 | ||
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7N65G-TQ2-T
中文翻译 品牌: UTC |
7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 7.4A , 650V N沟道功率MOSFET |
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A2G26H281-04SR3
中文翻译 品牌: NXP |
RF Power GaN Transistor | ||||
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A3G18H500-04SR3
中文翻译 品牌: NXP |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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A3G26H501W17S
中文翻译 品牌: NXP |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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A3G26H501W17SR3
中文翻译 品牌: NXP |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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ARF446G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF功率MOSFET N沟道增强模式 |
晶体 射频场效应晶体管 局域网 | ||
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ARF447G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF功率MOSFET N沟道增强模式 |
晶体 射频场效应晶体管 局域网 | ||
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ARF463AP1G
中文翻译 品牌: ADPOW |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs N沟道增强型功率MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 局域网 | |||
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ARF463BP1G
中文翻译 品牌: ADPOW |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs N沟道增强型功率MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 局域网 | |||
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ARF521G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
RF Power Field-Effect Transistor | 晶体 射频场效应晶体管 放大器 局域网 | |||
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ATF-511P8-TR1G
中文翻译 品牌: AGILENT |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8 | |||
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ATF-511P8-TR2G
中文翻译 品牌: AGILENT |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8 | 晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 | ||
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BLA6G1011-200R
中文翻译 品牌: NXP |
Power LDMOS transistor 功率LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BLA6G1011L-200RG,1
中文翻译 品牌: NXP |
BLA6G1011L-200RG | |||
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BLA6G1011LS-200RG
中文翻译 品牌: NXP |
RF Manual 16th edition RF手册第16版 |
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BLC6G10-200
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BLC6G10LS-200
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BLC6G20-110
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 功效 放大器 局域网 | ||
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BLC6G20-75
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BLC6G20LS-110
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 功效 放大器 局域网 | ||
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BLC6G20LS-75
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 局域网 | ||
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BLC6G22-100
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BLC6G22-75
中文翻译 品牌: NXP |
Power LDMOS transistor 功率LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 光电二极管 放大器 局域网 | |||
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BLC6G22LS-130
中文翻译 品牌: NXP |
UHF power LDMOS transistor UHF功率LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BLC6G22LS-75
中文翻译 品牌: NXP |
Power LDMOS transistor 功率LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BLD6G21LS-50
中文翻译 品牌: NXP |
TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty transistor TD- SCDMA 2010 MHz至2025 MHz的全集成Doherty晶体管 |
晶体 晶体管 |