| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N5151-220M
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE 高速中压 |
晶体 晶体管 开关 局域网 | ||
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2N5153-220M
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE 高速中压 |
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2SA2124-TD-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-30V，-2A，低饱和压，PNP 单 PCP | PC 开关 晶体管 | ||
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2SA2202-TD-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-100V，-2A，低饱和压，PNP 单 PCP | PC 开关 晶体管 | ||
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2SA2222SG
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，-50V，-10A，低饱和压，PNP TO-220F-3FS | 局域网 开关 晶体管 | ||
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2SB1151
中文翻译 品牌: NEC |
Low Collector Saturation Voltage 低集电极饱和电压 |
晶体 晶体管 功率双极晶体管 开关 局域网 | |||
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2SB1151-G-BP
中文翻译 品牌: MCC |
元器件封装:TO-126; | ||||
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2SB1151-K
中文翻译 品牌: NEC |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, | 局域网 开关 晶体管 | |||
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2SB1151-L
中文翻译 品牌: NEC |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 局域网 开关 晶体管 | |||
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2SB1151-L-AZ
中文翻译 品牌: NEC |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 晶体 晶体管 功率双极晶体管 开关 局域网 | |||
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2SB1151-O-BP
中文翻译 品牌: MCC |
TRANSISTOR TO-92 MOD | ||||
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2SB1151-Y-BP
中文翻译 品牌: MCC |
元器件封装:TO-126; | ||||
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2SB1151G-O-AA3-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor | ||||
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2SB1151G-O-T60-R
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | 局域网 晶体管 | ||
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2SB1151G-O-TN3-R
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | 晶体管 | ||
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2SB1151G-Y-T60-K
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor | 局域网 晶体管 | |||
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2SB1151G-Y-T60-R
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | 局域网 晶体管 | ||
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2SB1151G-Y-TN3-R
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | 晶体管 | ||
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2SB1151L-O-AA3-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor | ||||
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2SB1151L-O-T60-K
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor | 局域网 晶体管 | |||
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2SB1151L-O-TN3-R
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 | 晶体管 | ||
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2SB1151L-Y-T60-K
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor | 局域网 晶体管 | |||
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2SB1151L-Y-TN3-R
中文翻译 品牌: UTC |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 | 晶体管 | ||
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2SC5964-TD-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，(-)50V，(-)3A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP | PC 晶体管 | ||
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2SC6094-TD-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，60V，3A，低饱和压，NPN 单 PCP | PC 开关 晶体管 | ||
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2SC6095-TD-E
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，80V，2.5A，低饱和压，NPN 单 PCP | PC 开关 晶体管 | ||
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2SC6144SG
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
双极晶体管，50V，10A，低饱和压，NPN TO-220F-3FS | 局域网 开关 晶体管 | ||
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BCP55,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):1.35W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:TO-261-4; | |||
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BCP55-10,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):1.35W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:TO-261-4; | |||
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BCP55-16,115
EDA模型
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
CE结击穿电压Vceo(V):60V;最大集电极电流Ic(mA):1A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA, 500mA;最大耗散功率Pd(W):1.35W;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):180MHz;元器件封装:TO-261-4; |