| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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10-FE06PPA030SJ03-LK24B18Z
中文翻译 品牌: VINCOTECH |
IGBT fast 5us short circuit withstand time High speed switching Low EMI Short tail current | 双极性晶体管 | |||
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1000MP
中文翻译 品牌: ADPOW |
0.6 Watts, 18 Volts, Class A Linear to 1150 MHz 0.6瓦， 18伏特，A类线性到1150兆赫 |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 放大器 | |||
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1000MP
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
0.6 Watts, 18 Volts 1150 MHz 0.6瓦， 18伏特1150兆赫 |
晶体 晶体管 放大器 | ||
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151-18
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-82
晶体管| BJT | NPN | 180V V（ BR ） CEO | 6A I（C ） | TO- 82\n |
晶体 晶体管 | |||
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152-18
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-82
晶体管| BJT | NPN | 180V V（ BR ） CEO | 6A I（C ） | TO- 82\n |
晶体 晶体管 | |||
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153-18
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | STR-1/4
晶体管| BJT | NPN | 180V V（ BR ） CEO | 7.5AI （ C） | STR -1/4\n |
晶体 晶体管 | |||
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164-18
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 20A I(C) | STR-5/16
晶体管| BJT | NPN | 180V V（ BR ） CEO | 20A I（C ） | STR - 5月16日\n |
晶体 晶体管 | |||
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18N25F
中文翻译 品牌: LGE |
场效应晶体管 | 晶体管 场效应晶体管 | |||
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18N40G-T47-T
中文翻译 品牌: UTC |
400V N-CHANNEL POWER MOSFET 400V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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18N40L-T47-T
中文翻译 品牌: UTC |
400V N-CHANNEL POWER MOSFET 400V N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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18N60-T47-T
中文翻译 品牌: UTC |
POLARHV HIPERFET POWER MOSFET PolarHV HiPerFET功率MOSFET |
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18N60G-T47-T
中文翻译 品牌: UTC |
POLARHV HIPERFET POWER MOSFET PolarHV HiPerFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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18N60L-T47-T
中文翻译 品牌: UTC |
POLARHV HIPERFET POWER MOSFET PolarHV HiPerFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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1HP04CH-TL-W
中文翻译 品牌: ONSEMI |
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):170mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):18 Ohm @ 80mA, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.9nC @ 10V;栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):150°C | 栅 栅极 | ||
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1SD418F2-FX800R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KF1
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KL2C
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1500R25KF1
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ2400R17KF6
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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20MT120UFPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MTP, 18 PIN | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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2ED020I12FIXUMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Half Bridge Based Peripheral Driver, 2A, PDSO18, GREEN, PLASTIC, DSO-20/18 | 驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器 | ||
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2N0706
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN | 晶体管 | ||
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2N0706A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN | 晶体管 | ||
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2N0744
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN | 晶体管 | ||
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2N0744A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN | 晶体管 | ||
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2N0760A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN | 晶体管 | ||
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2N0910
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN | 晶体管 | ||
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2N0930
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN | 晶体管 | ||
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2N1145
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 200MA I(C) | CAN
晶体管| BJT | PNP | 18V V（ BR ） CEO | 200MA I（C ） | CAN\n |
晶体 晶体管 |