品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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0401-1403-18
中文翻译 品牌: BEL |
Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, SIP-8/4 | 输入元件 逻辑集成电路 延迟线 | |||
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1103XA
中文翻译 品牌: NXP |
IC OTHER DRAM, PDIP18, Dynamic RAM | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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1338-18DCGI
中文翻译 品牌: IDT |
REAL-TIME CLOCK WITH BATTERY BACKED NON-VOLATILE RAM 带电池备份非易失性RAM实时时钟 |
计时器或实时时钟 电池 微控制器和处理器 外围集成电路 光电二极管 PC | ||
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1338-18DCGI8
中文翻译 品牌: IDT |
REAL-TIME CLOCK WITH BATTERY BACKED NON-VOLATILE RAM 带电池备份非易失性RAM实时时钟 |
计时器或实时时钟 电池 微控制器和处理器 外围集成电路 光电二极管 PC | ||
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1338-18DVGI
中文翻译 品牌: IDT |
REAL-TIME CLOCK WITH BATTERY BACKED NON-VOLATILE RAM 带电池备份非易失性RAM实时时钟 |
计时器或实时时钟 电池 微控制器和处理器 外围集成电路 光电二极管 PC | ||
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1338-18DVGI8
中文翻译 品牌: IDT |
REAL-TIME CLOCK WITH BATTERY BACKED NON-VOLATILE RAM 带电池备份非易失性RAM实时时钟 |
计时器或实时时钟 电池 微控制器和处理器 外围集成电路 光电二极管 PC | ||
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1338C-18SRI
中文翻译 品牌: IDT |
REAL-TIME CLOCK WITH BATTERY BACKED NON-VOLATILE RAM 带电池备份非易失性RAM实时时钟 |
计时器或实时时钟 电池 微控制器和处理器 外围集成电路 光电二极管 | ||
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1338C-18SRI8
中文翻译 品牌: IDT |
REAL-TIME CLOCK WITH BATTERY BACKED NON-VOLATILE RAM 带电池备份非易失性RAM实时时钟 |
计时器或实时时钟 电池 微控制器和处理器 外围集成电路 光电二极管 | ||
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1502-18
中文翻译 品牌: DATADELAY |
Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, Hybrid, DIP-14 | 逻辑集成电路 延迟线 | ||
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1M7804-20DLG4
中文翻译 品牌: TI |
512 】 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 512 】 18选通,先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7804-20DLRG4
中文翻译 品牌: TI |
512 】 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 512 】 18选通,先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7805-15DLG4
中文翻译 品牌: TI |
256 】 18 CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 256 】 18主频先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7806-40DLG4
中文翻译 品牌: TI |
256 】 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 256 】 18选通,先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7813-25DLRG4
中文翻译 品牌: TI |
64 x18 CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 64 X18主频先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7814-40DLG4
中文翻译 品牌: TI |
64 x 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY 64 ×18选通的先入先出存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟 | ||
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1M7881-20PNG4
中文翻译 品牌: TI |
1KX18 OTHER FIFO, 13ns, PQFP80, GREEN, PLASTIC, LQFP-80 | 时钟 先进先出芯片 内存集成电路 | ||
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2111F
中文翻译 品牌: PHILIPS |
Standard SRAM, 256X4, 1000ns, MOS, CDIP18 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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2111F-1
中文翻译 品牌: PHILIPS |
Standard SRAM, 256X4, 500ns, MOS, CDIP18 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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2111IK
中文翻译 品牌: NXP |
IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 1000 ns, CDIP18, Static RAM | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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2111N-1
中文翻译 品牌: PHILIPS |
Standard SRAM, 256X4, 500ns, MOS, PDIP18 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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2111XA
中文翻译 品牌: NXP |
IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 1000 ns, PDIP18, Static RAM | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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2114-3PCQM
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Standard SRAM, 1KX4, 300ns, MOS, PDIP18, | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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24501BVA
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
4KX1 STANDARD SRAM, 120ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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24501BVA
中文翻译 品牌: RENESAS |
4KX1 STANDARD SRAM, 120ns, CDIP18 | 静态存储器 内存集成电路 | ||
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251MI-18LFT
中文翻译 品牌: IDT |
Clock Generator | 时钟 光电二极管 外围集成电路 晶体 | |||
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2DTA-10-Q24R
中文翻译 品牌: BOURNS |
Diode Termination Array, 18-Line, PDSO24, MO-137, QSOP-24 | 光电二极管 接口集成电路 | ||
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2DTA-10-Q24RLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
Diode Termination Array, 18-Line, PDSO24, ROHS COMPLIANT, MO-137, QSOP-24 | 光电二极管 接口集成电路 | ||
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2DTA-10-Q24T
中文翻译 品牌: BOURNS |
Diode Termination Array, 18-Line, PDSO24, MO-137, QSOP-24 | 光电二极管 接口集成电路 | ||
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2DTA-10-Q24TLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
Diode Termination Array, 18-Line, PDSO24, ROHS COMPLIANT, MO-137, QSOP-24 | 光电二极管 接口集成电路 | ||
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2DTA-5-Q24TLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
Diode Termination Array, 18-Line, PDSO24, ROHS COMPLIANT, MO-137, QSOP-24 | 光电二极管 接口集成电路 |