| 型号等于： | 1N3649 (2) 1N3649R (1) |
| 型号起始： | 1N3649* (5) 1N3649E* (1) 1N3649R* (2) |
| 所属品牌： | 不限 MICROSEMI(4) |
| 功能分类： | 不限 二极管(2) 整流二极管(2) 军事(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N3649
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER 军事硅电力整流器 |
整流二极管 军事 | ||
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1N3649E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 PIN | 二极管 | |||
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1N3649R
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER 军事硅电力整流器 |
整流二极管 军事 | ||
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1N3649R
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
工作温度:-65°C ~ 150°C;最小工作结温:-65°C;最大工作结温（Tj）: 150°C;元器件封装:DO-203AA（DO-4）; | ||||
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1N3649RE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 PIN | 二极管 |
Total:51
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