型号等于：	2N2326 (16) 2N2326A (4) 2N2326S (1)
型号起始：	2N2326* (24) 2N2326A* (6) 2N2326S* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(6) CENTRAL(2) DIGITRON(2) NJSEMI(2) ASI(1) COMSET(1) RAYTHEON(1) SEME-LAB(1)
功能分类：	不限栅(5) 栅极(11) 触发装置(6) 可控硅整流器(7)

2N2326 - 型号起始; 总记录数：18

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2N2326 中文翻译品牌: MICROSEMI	SCRs 1.6 Amp, Planear 可控硅1.6安培，平面变	栅极触发装置可控硅整流器
		2N2326 中文翻译品牌: SEME-LAB	Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 在一个密封TO39双极NPNP设备	栅极
		2N2326 中文翻译品牌: CENTRAL	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS 可控硅整流1.6安培， 25 THRU 400伏	栅极触发装置可控硅整流器
		2N2326 中文翻译品牌: NJSEMI	SCR, V(DRM) = 200 V TO 299.9 V SCR ，V （ DRM ） = 200 V至299.9 V	栅极触发装置可控硅整流器
		2N2326 中文翻译品牌: RAYTHEON	Silicon Controlled Rectifier, 1600mA I(T), 200V V(DRM),	栅栅极
		2N2326 中文翻译品牌: DIGITRON	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 200; Max TMS Bridge Input Voltage: 1; Max DC Reverse Voltage: 0.1; Capacitance: 0.1	栅栅极
		2N2326 中文翻译品牌: ASI	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN	栅栅极
		2N2326 中文翻译品牌: COMSET	SILICON THYRISTORS 硅闸流体	栅极
		2N2326A 中文翻译品牌: MICROSEMI	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 可控硅整流器	栅极触发装置可控硅整流器
		2N2326A 中文翻译品牌: CENTRAL	1.6A,200V Through-Hole SCR
		2N2326A 中文翻译品牌: NJSEMI	Thyristor SCR 200V 15A 3-Pin TO-5	栅触发装置栅极可控硅整流器
		2N2326A 中文翻译品牌: DIGITRON	Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 200; Peak Repetitive
		2N2326AS 中文翻译品牌: MICROSEMI	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 可控硅整流器	可控硅整流器
		2N2326AS 中文翻译品牌: MICROCHIP	元器件封装:TO-5;
		2N2326ASE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN
		2N2326S 中文翻译品牌: MICROSEMI	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 可控硅整流器	触发装置可控硅整流器
		2N2326S 中文翻译品牌: MICROCHIP	元器件封装:TO-5;
		2N2326SE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN	栅栅极

Total:181

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