| 型号等于： | 2N6659 (8) |
| 型号起始： | 2N6659* (10) 2N6659B* (2) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(2) DIGITRON(1) MOTOROLA(1) NJSEMI(1) SEME-LAB(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体管(4) 晶体(3) 开关(2) 小信号场效应晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N6659
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR N沟道增强型MOS晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N6659
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS TMOS开关FET晶体管 |
晶体 开关 小信号场效应晶体管 | |||
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2N6659
中文翻译 品牌: NJSEMI |
TMOS SWITCHING TRANSISTOR TMOS开关晶体管 |
晶体 开关 晶体管 | |||
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2N6659
中文翻译 品牌: DIGITRON |
Polarity : N Channel; Type : Enhancement; Power Dissipation : 6.25; Maximum Drain-Source Voltage : | ||||
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2N6659B-1
中文翻译 品牌: VISHAY |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 晶体管 | |||
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2N6659B-2
中文翻译 品牌: VISHAY |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 晶体管 |
Total:61
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