| 型号等于： | 2SB1132T100Q (2) 2SB1132T100QR (1) |
| 型号起始： | 2SB1132T100Q* (3) 2SB1132T100QR* (1) |
| 所属品牌： | 不限 ROHM(2) |
| 功能分类： | 不限 晶体(1) 小信号双极晶体管(1) 放大器(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SB1132T100Q
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):32 V ;最大集电极电流Ic(mA):1 A ;类型:PNP ;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 50mA，500mA ;最大耗散功率Pd(W):2 W ;最大工作温度(℃):150°C（TJ） ;变换频率ft(MHz):150MHz ;元器件封装:MP | |||
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2SB1132T100QR
中文翻译 品牌: ROHM |
暂无描述 | 晶体 小信号双极晶体管 放大器 |
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