| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SD201
中文翻译 品牌: SAVANTIC |
Silicon NPN Power Transistors 硅NPN功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2010
中文翻译 品牌: ROHM |
1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE 1.2W封装的功率晶体管录音设计用于带有自动贴片机TEST |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2010A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
晶体管| BJT |达林顿| NPN | 60V V（ BR ） CEO | 2A I（C ） | SIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2010B
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
晶体管| BJT |达林顿| NPN | 60V V（ BR ） CEO | 2A I（C ） | SIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2010C
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
晶体管| BJT |达林顿| NPN | 60V V（ BR ） CEO | 2A I（C ） | SIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2010T105
中文翻译 品牌: ROHM |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 放大器 晶体管 | |||
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2SD2010T105A
中文翻译 品牌: ROHM |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | ||||
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2SD2010T105B
中文翻译 品牌: ROHM |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 晶体管 | |||
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2SD2010T105C
中文翻译 品牌: ROHM |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | ||||
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2SD2011
中文翻译 品牌: ROHM |
1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE 1.2W封装的功率晶体管录音设计用于带有自动贴片机TEST |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2011A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
晶体管| BJT |达林顿| NPN | 100V V（ BR ） CEO | 2A I（C ） | SIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2011B
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
晶体管| BJT |达林顿| NPN | 100V V（ BR ） CEO | 2A I（C ） | SIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2011C
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
晶体管| BJT |达林顿| NPN | 100V V（ BR ） CEO | 2A I（C ） | SIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2011T105
中文翻译 品牌: ROHM |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 放大器 晶体管 | |||
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2SD2011T105A
中文翻译 品牌: ROHM |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 晶体管 | |||
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2SD2011T105B
中文翻译 品牌: ROHM |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 晶体管 | |||
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2SD2012
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) NPN型三重扩散型TYPE（音频功率放大） |
晶体 晶体管 功率双极晶体管 功率放大器 | ||
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2SD2012
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR NPN硅功率晶体管 |
晶体 晶体管 功率双极晶体管 | ||
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2SD2012
中文翻译 品牌: SAVANTIC |
Silicon NPN Power Transistors 硅NPN功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2012
中文翻译 品牌: MCC |
NPN Silicon Power Transistors NPN硅功率晶体管 |
晶体 晶体管 功率双极晶体管 | ||
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2SD2012
中文翻译 品牌: ISC |
Silicon NPN Power Transistors 硅NPN功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2012
中文翻译 品牌: CJ |
TO-220F | ||||
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2SD2012
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Pcm(mW) : 2; Ic(mA) : 3; BVCBO(V) : 60; BVCEO(V) : 60; BVEBO(V) : 7; Min : 100; Max : 320; VCE (sat) (v) : 1; Package Outline : TO-220; | ||||
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2SD2012
中文翻译 品牌: FOSHAN |
TO-220F | ||||
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2SD2012(F)
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-220AB | 晶体 晶体管 功率双极晶体管 | |||
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2SD2012(Q)
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-220AB | 晶体 晶体管 功率双极晶体管 | |||
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2SD2012(TO-220F)
中文翻译 品牌: JCST |
Transistor | ||||
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2SD2012-BP
中文翻译 品牌: MCC |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN | 晶体 晶体管 功率双极晶体管 | ||
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2SD2012FM
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
Audio Frequency Power Amplifier Applications 音频功放应用 |
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2SD2012_03
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR NPN硅功率晶体管 |
晶体 晶体管 |