| 型号等于： | 2SD2696 (2) |
| 型号起始： | 2SD2696* (3) 2SD2696_* (1) |
| 所属品牌： | 不限 ROHM(2) |
| 功能分类： | 不限 晶体(2) 晶体管(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SD2696
中文翻译 品牌: ROHM |
Low frequency transistor (for amplification) 低频晶体管（扩增） |
晶体 晶体管 | |||
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2SD2696T2L
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):400mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 2mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):150mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):400MHz;元器件封装:SOT-723; | |||
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2SD2696_09
中文翻译 品牌: ROHM |
Low frequency transistor (for amplification) 低频晶体管（扩增） |
晶体 晶体管 |
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