型号等于：	3EZ30 (4) 3EZ33 (4) 3EZ36 (4) 3EZ39 (4)
型号起始：	3EZ3* (381) 3EZ3.* (53) 3EZ30* (78) 3EZ33* (81) 3EZ36* (88) 3EZ39* (81)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(202) MCC(33) MOTOROLA(30) EIC(16) SUNMATE(15) ETC(13) ONSEMI(11) WTE(10) LGE(8) SYNSEMI(8) WON-TOP(7) GOOD-ARK(5) NJSEMI(5) DIOTEC(4) PANJIT(4) SEMIKRON(4) TRSYS(4) ROCHESTER(2)
功能分类：	不限测试(196) 二极管(166) 光电二极管(67) 稳压二极管(68) 齐纳二极管(58) IOT(8) 稳压器(3)

3EZ3 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：67

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ3.6D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.6DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ3.9DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:80 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ30DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 22.5 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ33D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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