型号等于:3EZ39 (8) 3EZ39D (1)
型号起始:3EZ39* (85) 3EZ39D* (77)
所属品牌:不限 MICROSEMI(48) MCC(9) ONSEMI(4) WTE(4) EIC(2) MOTOROLA(2) SUNMATE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) ROCHESTER(1) SEMIKRON(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1)
功能分类:不限 测试(45) 二极管(35) 光电二极管(15) 稳压二极管(14) 齐纳二极管(13) IOT(4) 稳压器(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
3EZ39
中文翻译 品牌: PANJIT
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODES(VOLTAGE- 11 to 200 Volts Power - 3.0 Watts)
玻璃钝化结硅稳压二极管(电压 - 11至200伏电源 - 3.0瓦特)
稳压二极管 测试 IOT
3EZ39
中文翻译 品牌: TRSYS
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE
玻璃钝化结硅稳压二极管
稳压二极管 测试 IOT
3EZ39
中文翻译 品牌: DIOTEC
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
硅电源-Z-二极管(非平面技术)
二极管 齐纳二极管 测试 IOT
3EZ39
中文翻译 品牌: SEMIKRON
Zener silicon diodes
齐纳二极管芯片
二极管 齐纳二极管 测试 IOT
3EZ39D
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 20%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
3EZ39D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D1
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
3EZ39D10
中文翻译 品牌: EIC
SILICON ZENER DIODES
硅稳压二极管
稳压二极管
3EZ39D10
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
3EZ39D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D10E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
3EZ39D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D10E3TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
3EZ39D10TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
3EZ39D10TRE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 10%, 3W, 测试 二极管
3EZ39D1E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
3EZ39D1E3TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
3EZ39D1TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
3EZ39D1TRE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 1%, 3W, 测试 二极管
3EZ39D2
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
3EZ39D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D2E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
3EZ39D2E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ39D2E3TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
3EZ39D2TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI
Zener Diode, 39V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN 测试 二极管
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