型号等于：	3EZ39 (8) 3EZ39D (1)
型号起始：	3EZ39* (85) 3EZ39D* (77)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(48) MCC(9) ONSEMI(4) WTE(4) EIC(2) MOTOROLA(2) SUNMATE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) ROCHESTER(1) SEMIKRON(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(45) 二极管(35) 光电二极管(15) 稳压二极管(14) 齐纳二极管(13) IOT(4) 稳压器(1)

3EZ39 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：15

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ39D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ39DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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