品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SJ76
中文翻译 品牌: RENESAS |
Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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2SJ76-E
中文翻译 品牌: RENESAS |
Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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APT30M40B2VFR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 300V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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APT30M40B2VFRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 300V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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APT30M40LVFR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 300V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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APT30M40LVFRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 300V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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APT30M40LVRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 300V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | 局域网 高压 开关 脉冲 晶体管 | ||
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BSC110N15NS5
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8 | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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BSC110N15NS5ATMA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8 | ATM 异步传输模式 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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BST76AT/R
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR 300 mA, 180 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, SC-43, SOT-54 (TO-92) VARIANT, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal | 晶体 晶体管 | ||
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BUZ76
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定) |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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BUZ76-E3045
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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BUZ76A-E3044
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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BUZ76A-E3045
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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BUZ76A-E3046
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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C-IXFD76N07-12
中文翻译 品牌: IXYS |
Power Field-Effect Transistor, 70V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 晶体管 | |||
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CFY76-10
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, P-Channel, High Electron Mobility FET | 光电二极管 晶体管 | |||
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CSD13380F3
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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CSD23382F4
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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CSD23382F4T
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJC | 3 | -55 to 150 | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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CSD25501F3
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 栅 开关 晶体管 栅极 | |||
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CSD25501F3T
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJN | 3 | -55 to 150 | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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FCA76N60N
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®,FAST,600 V,76 A,36 mΩ,TO-3P | 局域网 PC 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FCA76N60N
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
FCA76N60N N-Channel MOSFET 600V, 76A, 36mΩ FCA76N60N N沟道MOSFET 600V , 76A , 36mÎ © |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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FCH041N60F
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,FRFET®,600 V,76 A,41 mΩ,TO-247 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FCH041N65EF-F155
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,650 V,76 A,71 mΩ,TO-247 | |||
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FCH041N65EFL4
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,650 V,76 A,41 mΩ,TO-247 4L | |||
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FCH041N65EFLN4
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,650 V,76 A,41 mΩ,TO-247 窄体 4L | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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FCH041N65F-F085
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N 沟道 SuperFET II™ FRFET MOSFET 650V,76A,34mΩ | ||||
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FCH041N65F-F155
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,650 V,76 A,41 mΩ,TO-247 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |