| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4764AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764P/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949BPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1SMA4746
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:5μA 76V;额定稳压值(Vz):100V; | 光电二极管 | |||
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2EZ100D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:2 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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2EZ100D5/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:2 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:2 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100D5E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100DE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ100DE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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934054846115
中文翻译 品牌: NXP |
3V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SMD, UMD2, SC-76, 2 PIN | 测试 光电二极管 | ||
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934054850115
中文翻译 品牌: NXP |
4.3V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SMD, UMD2, SC-76, 2 PIN | 测试 光电二极管 | ||
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934054862115
中文翻译 品牌: NXP |
13V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SMD, UMD2, SC-76, 2 PIN | 测试 光电二极管 | ||
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934054863115
中文翻译 品牌: NXP |
15V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SMD, UMD2, SC-76, 2 PIN | 测试 光电二极管 | ||
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934054864115
中文翻译 品牌: NXP |
16V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SMD, UMD2, SC-76, 2 PIN | |||
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BZX384-C22/T1
中文翻译 品牌: NXP |
22V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SMD, SC-76, 2 PIN | 测试 光电二极管 |