98 - 型号起始 - 功率场效应晶体管; 总记录数：33

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AP98T03GP 中文翻译品牌: A-POWER	TRANSISTOR 80 A, 30 V, 0.0028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power	局域网开关脉冲晶体管
		AP98T03GP-HF 中文翻译品牌: A-POWER	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power	局域网开关脉冲晶体管
		AP98T03GS 中文翻译品牌: A-POWER	TRANSISTOR 80 A, 30 V, 0.0028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power	开关脉冲晶体管
		AP98T03GS-HF 中文翻译品牌: A-POWER	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power	开关脉冲晶体管
		AP98T03GW-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Simple Drive Requirement, Ultra-low On-resistance 简单的驱动要求，超低导通电阻	驱动
		AP98T06GI-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Simple Drive Requirement, Low On-resistance, Fast Switching Characteristic 简单的驱动要求，低导通电阻，高速开关特性	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲驱动局域网
		AP98T06GP 中文翻译品牌: A-POWER	Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge, Fast Switching Characteristic 简单的驱动要求，更低的栅极电荷快速开关特性	晶体栅极开关晶体管功率场效应晶体管脉冲驱动局域网
		AP98T06GP-HF 中文翻译品牌: A-POWER	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power	局域网开关脉冲晶体管
		AP98T06GS-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge, Fast Switching Characteristic 简单的驱动要求，更低的栅极电荷快速开关特性	晶体栅极开关晶体管功率场效应晶体管脉冲驱动
		AP98T07GP-HF 中文翻译品牌: A-POWER	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N沟道增强型功率MOSFET
		BSC032N04LSATMA1 EDA模型中文翻译品牌: INFINEON	漏源电压Vdss(V):40V;额定电流Id(A):21A (Ta), 98A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):3.2 mOhm @ 50A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg	栅栅极
		FCA35N60 EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，Easy Drive，600 V，35 A，98 mΩ，TO-3P	局域网开关脉冲晶体管
		FCH35N60 中文翻译品牌: ONSEMI	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，Easy Drive，600 V，35 A，98 mΩ，TO-247	局域网开关脉冲晶体管
		FDN5632N_F085 中文翻译品牌: FAIRCHILD	N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 1.6A, 98mヘ N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench㈢ 60V ， 1.6A ， 98米ヘ	晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管 PC
		IXFK98N50P3 中文翻译品牌: LITTELFUSE	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的基准高性能Polar系列产品系列的最新成员。其高质量因数(FOM)是Qg的倍数，并在RDS(on)中可替	局域网开关脉冲晶体管
		IXFK98N50P3 中文翻译品牌: IXYS	Polar3 HiPerFET Power MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IXFX98N50P3 中文翻译品牌: LITTELFUSE	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的基准高性能Polar系列产品系列的最新成员。其高质量因数(FOM)是Qg的倍数，并在RDS(on)中可替
		IXTA98N075T 中文翻译品牌: IXYS	Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET 高级技术信息TrenchMVTM功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IXTP98N075T 中文翻译品牌: IXYS	Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET 高级技术信息TrenchMVTM功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		MCH6331-TL-H 中文翻译品牌: ONSEMI	Power MOSFET, -30V, 98mΩ, -3.5A, Single P-Channel, SC 88FL / MCPH6, 3000-REEL
		MCH6331-TL-W 中文翻译品牌: ONSEMI	Power MOSFET, -30V, 98mΩ, -3.5A, Single P-Channel, 3000-REEL
		NTD4855N-1G 中文翻译品牌: ONSEMI	Power MOSFET 25 V, 98 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK 功率MOSFET的25 V ， 98 A单N沟道， DPAK / IPAK
		NTD4855N-35G 中文翻译品牌: ONSEMI	Power MOSFET 25 V, 98 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK 功率MOSFET的25 V ， 98 A单N沟道， DPAK / IPAK	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		NTD4855NT4G 中文翻译品牌: ONSEMI	Power MOSFET 25 V, 98 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK 功率MOSFET的25 V ， 98 A单N沟道， DPAK / IPAK
		NTD5862NT4G 中文翻译品牌: ONSEMI	N-Channel Power MOSFET 60 V, 98 A, 5.7 m N沟道功率MOSFET的60 V， 98 A， 5.7米？	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
		NTP5862NG EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	N-Channel Power MOSFET 60 V, 98 A, 5.7 m N沟道功率MOSFET的60 V， 98 A， 5.7米？
		NVD5862NT4G-VF01 EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	功率 MOSFET，60V，98A，5.7mΩ，单 N 沟道，DPAK
		PHB98N03LT 中文翻译品牌: NXP	N-channel enhancement mode field-effect transistor N沟道增强模式音响场效晶体管	晶体晶体管
		PHB98N03LT,118 中文翻译品牌: NXP	PHB98N03LT	开关脉冲晶体管
		PHD98N03LT 中文翻译品牌: NXP	N-channel enhancement mode field-effect transistor N沟道增强模式音响场效晶体管	晶体晶体管

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