| 型号起始： | A1237* (6) A1237N* (6) |
| 所属品牌： | 不限 IXYS(4) LITTELFUSE(2) |
| 功能分类： | 不限 栅(4) 栅极(4) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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A1237NC220
中文翻译 品牌: IXYS |
Assymetric SCR, 2555A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element | 栅 栅极 | |||
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A1237NC240
中文翻译 品牌: IXYS |
Assymetric SCR, 2555A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element | 栅 栅极 | |||
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A1237NC240
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些器件的电压最高可达2800V。 其具有极快的导通时间，并且能达到极高的di/dt和dv/dt临界值。 该器件类型还具有超过1000A的高额定电流。 不对称结构优化了相对于关断损耗的正向损耗，并 | ||||
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A1237NC260
中文翻译 品牌: IXYS |
Assymetric SCR, 2555A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element | 栅 栅极 | |||
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A1237NC280
中文翻译 品牌: IXYS |
Assymetric SCR, 2555A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element | 栅 栅极 | |||
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A1237NC280
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些器件的电压最高可达2800V。 其具有极快的导通时间，并且能达到极高的di/dt和dv/dt临界值。 该器件类型还具有超过1000A的高额定电流。 不对称结构优化了相对于关断损耗的正向损耗，并 |
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