| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
APT20GN60KG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
High Speed PT IGBT 高速PT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
APT20GN60S
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT 迅雷高速NPT IGBT |
双极性晶体管 | |||
|
APT20GN60SDQ1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
High Speed PT IGBT 高速PT IGBT |
双极性晶体管 | |||
|
APT20GN60SDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
High Speed PT IGBT 高速PT IGBT |
双极性晶体管 | |||
|
APT20GN60SDQ2
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3 | 栅 | |||
|
 |
APT20GN60SDQ2(G)
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | 栅 功率控制 晶体管 | ||
|
APT20GN60SG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT 迅雷高速NPT IGBT |
双极性晶体管 | |||
|
 |
APT20GS60BRDQ1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode 迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ |
晶体 二极管 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
|
APT20GS60BRDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode 迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ |
二极管 双极性晶体管 | ||
|
APT20GS60KR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT 迅雷高速NPT IGBT |
双极性晶体管 | |||
|
APT20GS60KR(G)
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 双极性晶体管 | |||
|
APT20GS60KRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT 迅雷高速NPT IGBT |
晶体 晶体管 双极性晶体管 | |||
|
|
APT20GS60SRDQ1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode 迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ |
晶体 二极管 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 | ||
|
|
APT20GS60SRDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode 迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ |
晶体 二极管 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 | ||
 |
APT20GT60AR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. 迅雷IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
APT20GT60BR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. 迅雷IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 |
双极性晶体管 高压 | |||
|
APT20GT60BR.
中文翻译 品牌: ADPOW |
暂无描述 | 晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
APT20GT60BRDQ1
中文翻译 品牌: ADPOW |
Thunderbolt IGBT 迅雷IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
|
APT20GT60BRDQ1G
中文翻译 品牌: ADPOW |
Thunderbolt IGBT 迅雷IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
|
 |
APT20GT60BRDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 局域网 | ||
|
 |
APT20GT60BRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 局域网 | ||
|
APT20GT60CR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. 迅雷IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
APT20GT60KR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. 迅雷IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
|
APT20GT60KRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
|
APT20M10JFLL
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
APT20M10JLL
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
APT20M11JFLL
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 FREDFET 功率MOS 7 FREDFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
APT20M11JLL
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 MOSFET 功率MOS 7 MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
|
 |
APT20M11JLL
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 176A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
|
APT20M11JVFR
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 |
高压 |