| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
APT200GN60J
中文翻译 品牌: ADPOW |
Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability 综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性 |
栅极 | |||
|
APT20GF120BRD
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. 快速IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
APT20GF120KR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. 快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
APT20GN60B
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
 |
 |
APT20GN60B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT 迅雷高速NPT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
APT20GN60BDQ2
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN | 栅 | |||
|
|
APT20GN60BDQ2(G)
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
|
 |
APT20GN60K
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
High Speed PT IGBT 高速PT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
|
APT20GN60KG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
High Speed PT IGBT 高速PT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
APT20GN60SDQ2
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3 | 栅 | |||
|
 |
APT20GN60SDQ2(G)
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | 栅 功率控制 晶体管 | ||
|
|
APT20GS60BRDQ1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode 迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ |
晶体 二极管 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
|
APT20GS60SRDQ1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode 迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ |
晶体 二极管 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 | ||
|
|
APT20GS60SRDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode 迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ |
晶体 二极管 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 | ||
|
APT20GT60AR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. 迅雷IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
APT20GT60BR.
中文翻译 品牌: ADPOW |
暂无描述 | 晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
APT20GT60BRDQ1
中文翻译 品牌: ADPOW |
Thunderbolt IGBT 迅雷IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
|
APT20GT60CR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. 迅雷IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
APT20GT60KR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. 迅雷IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
|
|
APT20GT60KRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
|
APT25GF100BN
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
25A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | 局域网 栅 双极性晶体管 开关 | |||
|
 |
APT25GF120JCU2
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
ISOTOP® Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode ISOTOP®升压斩波NPT IGBT斩波的SiC二极管 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
 |
APT25GLQ120JCU2
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES | 栅 | ||
|
|
APT25GN120B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
APT25GN120BE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
|
 |
APT25GN120BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
|
|
APT25GN120S
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
|
APT25GN120SE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK, 3 PIN | 栅 | |||
|
 |
APT25GN120SG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
|
APT25GP120B
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 |