品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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APT20GN60K
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
High Speed PT IGBT 高速PT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT20GN60KG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
High Speed PT IGBT 高速PT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GP120B
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT25GP120BD1
中文翻译 品牌: ETC |
Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps|Ultrafast IGBT Family
电压: 1200V VF /的VCE(on ) : 3.6V ID(续) : 25安培|超高速IGBT系列\n |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT25GP120BDF1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 69A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | ||
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APT25GP120BDQ1
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP120BDQ1G
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT25GP120BDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GP120BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | ||
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APT25GP90B
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP90BDF1
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP90BDQ1
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP90BDQ1G
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GP90BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 |
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