| 型号起始： | APT200G* (12) APT200GN* (9) APT200GT* (3) |
| 所属品牌： | 不限 MICROSEMI(8) ADPOW(2) MICROCHIP(2) |
| 功能分类： | 不限 双极性晶体管(6) 半导体(2) 射频(1) 晶体(1) 晶体管(1) 栅极(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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APT200GN60B2G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Field Stop IGBT 场站IGBT |
双极性晶体管 | ||
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APT200GN60J
中文翻译 品牌: ADPOW |
Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability 综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性 |
栅极 | |||
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APT200GN60J
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 功率半导体功率模块射频功率MOSFET |
半导体 射频 | ||
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APT200GN60J
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
元器件封装:SOT-227; | ||||
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APT200GN60JDQ4
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
双极性晶体管 | |||
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APT200GN60JDQ4
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 双极性晶体管 | ||
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APT200GN60JDQ4
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
元器件封装:SOT-227; | ||||
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APT200GN60JDQ4G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
元器件封装:SOT-227; | |||
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APT200GN60JG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
元器件封装:SOT-227; | |||
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APT200GT60JR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt IGBT 迅雷IGBT |
双极性晶体管 | ||
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APT200GT60JRDL
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Resonant Mode Combi IGBT 谐振模式的Combi IGBT |
双极性晶体管 | |||
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APT200GT60JRDQ4
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt IGBT 迅雷IGBT |
双极性晶体管 |
Total:121
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