型号等于: | APT20M45BVR (2) |
型号起始: | APT20M45BV* (6) APT20M45BVF* (2) APT20M45BVR* (4) |
所属品牌: | 不限 MICROSEMI(3) ADPOW(2) MICROCHIP(1) |
功能分类: | 不限 晶体(5) 晶体管(5) 功率场效应晶体管(5) 开关(5) 脉冲(5) 局域网(5) 高压(2) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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APT20M45BVFR
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement 功率MOS ,V是新一代高压N沟道增强 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | |||
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APT20M45BVFRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-24 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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APT20M45BVR
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | |||
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APT20M45BVR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
POWER MOS V® 功率MOS V® |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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APT20M45BVRG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
POWER MOS V® 功率MOS V® |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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APT20M45BVRG
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
元器件封装:TO-247 [B]; |
Total:61
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