品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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APT25GN120B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GN120B
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GN120B2DQ2
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT25GN120B2DQ2G
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT25GN120B2DQ2G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | ||
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APT25GN120BE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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APT25GN120BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GN120BG
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 |
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