型号等于：	APT25GP120BD1 (1)
型号起始：	APT25GP120BD* (5) APT25GP120BD1* (1) APT25GP120BDF* (1) APT25GP120BDQ* (3)
所属品牌：	不限 ADPOW(2) MICROSEMI(2) ETC(1)
功能分类：	不限晶体(4) 晶体管(5) 功率控制(5) 瞄准线(5) 双极性晶体管(4) 栅(4) 局域网(5) 半导体(1)

APT25GP120BD - 型号起始; 总记录数：5

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		APT25GP120BD1 中文翻译品牌: ETC	Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps\|Ultrafast IGBT Family 电压： 1200V VF /的VCE（on ）： 3.6V ID（续）： 25安培\|超高速IGBT系列\n	晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
		APT25GP120BDF1 中文翻译品牌: MICROSEMI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 69A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel	局域网栅瞄准线功率控制晶体管
		APT25GP120BDQ1 中文翻译品牌: ADPOW	POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT	晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
		APT25GP120BDQ1G 中文翻译品牌: ADPOW	POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT	晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
		APT25GP120BDQ1G 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块	晶体半导体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网

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