型号等于：	AS4C1M16E5 (1)
型号起始：	AS4C1M16E* (13) AS4C1M16E0* (2) AS4C1M16E5* (11)
所属品牌：	不限 ALSC(11) ETC(2)
功能分类：	不限动态存储器(13) 存储(4) 内存集成电路(6) 光电二极管(6)

AS4C1M16E - 型号起始; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AS4C1M16E0-50JC 中文翻译品牌: ETC	x16 EDO Page Mode DRAM X16 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E0-60JC 中文翻译品牌: ETC	x16 EDO Page Mode DRAM X16 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-45JC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-45TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-50JC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-50JI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-50TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-50TI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-60JC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-60JI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-60TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-60TI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器

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