| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BC848B,215
EDA模型
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):600mV @ 5mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):250mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-23-3; | |||
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BC848B,235
中文翻译 品牌: ETC |
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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BC848B-13-F
中文翻译 品牌: DIODES |
NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 NPN表面贴装小信号晶体管SOT23 |
晶体 晶体管 | ||
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BC848B-1K
中文翻译 品牌: ZETEX |
SOT23 NPN SILICON PLANAR SOT23 NPN硅平面 |
局域网 | |||
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BC848B-7
中文翻译 品牌: DIODES |
NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR NPN表面贴装小信号晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BC848B-7-F
中文翻译 品牌: DIODES |
NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 NPN表面贴装小信号晶体管SOT23 |
晶体 小信号双极晶体管 开关 光电二极管 | ||
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BC848B-AQ
中文翻译 品牌: DIOTEC |
Bipolar Transistors | ||||
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BC848B-AU
中文翻译 品牌: PANJIT |
SOT-23 | ||||
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BC848B-CAR
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-23; Polarity : NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 30; hFE = Min : 200; hFE = Max : 450; hFE = Ic (mA) : 2; hFE = VCE (V) : 5; VCE (sat) = Ma | ||||
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BC848B-G
中文翻译 品牌: COMCHIP |
Small Signal Transistor 小信号晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BC848B-GS08
中文翻译 品牌: VISHAY |
Transistor, | ||||
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BC848B-GS18
中文翻译 品牌: VISHAY |
Transistor, | ||||
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BC848B-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-23; Polarity : NPN; VCBOMax.(V) : 30; VCEOMax.(V) : 30; VEBOMax.(V) | ||||
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BC848B-Q1
中文翻译 品牌: ANBON |
SOT-23 | ||||
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BC848B-Q1-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-23; Polarity : NPN; VCBOMax.(V) : 30; VCEOMax.(V) : 30; VEBOMax.(V) | ||||
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BC848B-TAPE-13
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal | ||||
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BC848B-TAPE-7
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal | ||||
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BC848B-TP
中文翻译 品牌: MCC |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | 晶体 晶体管 | ||
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BC848B-TP-HF
中文翻译 品牌: MCC |
暂无描述 | 晶体 晶体管 | |||
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BC848B/E8
中文翻译 品牌: VISHAY |
Transistor, | ||||
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BC848B/E9
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
晶体管| BJT | NPN | 30V V（ BR ） CEO | 100MA I（C ） | SOT- 23\n |
晶体 晶体管 | |||
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BC848BBKPBFREE
中文翻译 品牌: CENTRAL |
Transistor, | ||||
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BC848BBKTIN/LEAD
中文翻译 品牌: CENTRAL |
Transistor | ||||
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BC848BD87Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | ||||
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BC848BDW
中文翻译 品牌: FUTUREWAFER |
NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors | ||||
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BC848BDW
中文翻译 品牌: AITSEMI |
IC (mA) : 100; VCEO (V) : 30; hFE Min/Max : 200/ 450; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : 2/5; VCE(sat) / Max(Volts) : 0.6; VCE(sat) /IC/IB(mA) : 100/5; fT TYP(M | ||||
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BC848BDW
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
30V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor | ||||
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BC848BDW-CAR
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-363; Polarity : NPN+NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 30; hFE = Min : 200; hFE = Max : 450; hFE = Ic (mA) : 2; hFE = VCE (V) : 5; VCE (sat) | ||||
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BC848BDW-G
中文翻译 品牌: WEITRON |
Transistor | ||||
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BC848BDW-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-363; Polarity : Dual NPN; VCBOMax.(V) : 30; VCEOMax.(V) : 30; VEBOM |