型号等于: | BC848BDW (2) |
型号起始: | BC848BD* (7) BC848BD8* (1) BC848BDW* (6) |
所属品牌: | 不限 FORMOSA(2) BL Galaxy Electrical(1) ETL(1) FAIRCHILD(1) FUTUREWAFER(1) WEITRON(1) |
功能分类: | 不限 晶体(1) 晶体管(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BC848BD87Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | ||||
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BC848BDW
中文翻译 品牌: FUTUREWAFER |
NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors | ||||
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BC848BDW
中文翻译 品牌: AITSEMI |
IC (mA) : 100; VCEO (V) : 30; hFE Min/Max : 200/ 450; hFE/ IC(mA)/VCE(Volts) : 2/5; VCE(sat) / Max(Volts) : 0.6; VCE(sat) /IC/IB(mA) : 100/5; fT TYP(M | ||||
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BC848BDW
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
30V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor | ||||
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BC848BDW-CAR
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-363; Polarity : NPN+NPN; Ic (mA) : 100; VCEO (V) : 30; hFE = Min : 200; hFE = Max : 450; hFE = Ic (mA) : 2; hFE = VCE (V) : 5; VCE (sat) | ||||
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BC848BDW-G
中文翻译 品牌: WEITRON |
Transistor | ||||
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BC848BDW-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-363; Polarity : Dual NPN; VCBOMax.(V) : 30; VCEOMax.(V) : 30; VEBOM | ||||
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BC848BDW-Q1-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-363; Polarity : Dual NPN; VCBOMax.(V) : 30; VCEOMax.(V) : 30; VEBOM | ||||
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BC848BDW1T1
中文翻译 品牌: ETL |
Dual General Purpose Transistors 双路通用晶体管 |
晶体 晶体管 |
Total:91
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