| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BC858BW
中文翻译 品牌: INFINEON |
PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) PNP硅晶体管自动对焦（ AF |
晶体 驱动器 晶体管 | ||
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BC858BW
中文翻译 品牌: DIODES |
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR PNP表面贴装小信号晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BC858BW
中文翻译 品牌: DIOTEC |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors 表面贴装硅外延PlanarTransistors |
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BC858BW
中文翻译 品牌: PANJIT |
SOT-323 | ||||
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BC858BW
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
30V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor | ||||
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BC858BW
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-323 | ||||
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BC858BW
中文翻译 品牌: SECOS |
BC856AW | ||||
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BC858BW
中文翻译 品牌: MCC |
PNP General Purpose Transistors PNP通用晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BC858BW
中文翻译 品牌: WEITRON |
General Purpose Transistor PNP Silicon 通用晶体管PNP硅 |
晶体 晶体管 | |||
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BC858BW
中文翻译 品牌: RUILON |
通用三极管 | ||||
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BC858BW-7
中文翻译 品牌: DIODES |
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR PNP表面贴装小信号晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BC858BW-C
中文翻译 品牌: SECOS |
Configuration : Single ; Type : PNP ; PD (mW) : 150 ; VCBO (V) : -30 ; VCEO (V) : -30 ; IC (mA) : -100 ; hFE : 220/475 ; VCE(sat) : 2/5 ; fT (MHz) : - | 光电二极管 | |||
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BC858BW-G
中文翻译 品牌: COMCHIP |
Small Signal Transistor | |||
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BC858BW-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-323; Polarity : PNP; VCBOMax.(V) : -30; VCEOMax.(V) : -30; VEBOMax. | ||||
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BC858BW-HF
中文翻译 品牌: COMCHIP |
Category : Small Signal Transistor; Application Type : ; Application Spec : VCBO=-30(V), VCEO=-30( | ||||
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BC858BW-Q1-H
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : SOT-323; Polarity : PNP; VCBOMax.(V) : -30; VCEOMax.(V) : -30; VEBOMax. | ||||
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BC858BW-TAPE-13
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal | ||||
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BC858BWE6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | |||
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BC858BWE6327HTSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | |||
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BC858BWE6433
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | ||||
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BC858BWG
中文翻译 品牌: LGE |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor | ||||
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BC858BWHE3
中文翻译 品牌: MCC |
Tape&Reel; | ||||
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BC858BWHQ
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-323 | ||||
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BC858BWQ
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-323 | ||||
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BC858BWT1
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
CASE 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70 CASE 419-02 ，花柱3 SOT- 323 / SC- 70 |
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BC858BWT1
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
General Purpose Transistors(PNP Silicon) 通用晶体管（ PNP硅） |
晶体 晶体管 | ||
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BC858BWT1
中文翻译 品牌: LRC |
General Purpose Transistors(PNP Silicon) 通用晶体管（ PNP硅） |
晶体 晶体管 | |||
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BC858BWT106
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):30V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP;CE结饱和压降Vce(sat):650mV @ 5mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):350mW;最大工作温度(℃):150°C ;变换频率ft(MHz):250MHz;元器件封装:SOT-323; | |||
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BC858BWT1G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
PNP Bipolar Transistor | 放大器 光电二极管 小信号双极晶体管 | ||
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BC858BWT3
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |