型号起始：	BH616* (77) BH616U* (77)
所属品牌：	不限 BSI(77)
功能分类：	不限静态存储器(77) 存储(15) 内存集成电路(4)

BH616 - 型号起始; 总记录数：77

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BH616UV1610 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH616UV1610AI 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH616UV1610AI-70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH616UV1610AI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	存储静态存储器
		BH616UV1610AI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	存储静态存储器
		BH616UV1610AIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1610AIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 超低功耗/高速CMOS SRAM	静态存储器
		BH616UV1610AIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1610AIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1610_06 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611AI55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BH616UV1611AIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611AIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611AIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611AIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BH616UV1611BI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611BI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611BIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611BIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611BIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611BIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611DI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611DI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611DIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611DIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611DIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611DIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611TI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611TI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器

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