BH616UV1611T - 型号起始; 总记录数：6

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BH616UV1611TI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611TI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611TIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611TIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器
		BH616UV1611TIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	静态存储器
		BH616UV1611TIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位	存储静态存储器

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