型号等于：	BS61 (2)
型号起始：	BS61* (1001) BS616* (999)
所属品牌：	不限 BSI(1258) ETC(23)
功能分类：	不限静态存储器(1277) 存储(169) 内存集成电路(343) 光电二极管(178) 电池(1)

BS61 - 型号起始; 总记录数：1281

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1615FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1615FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1615FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1615FI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1615FI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1615FI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1615FI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1615FI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1615FIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1615FIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1615FIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1615FIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1622 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1622TC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1622TCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1622TCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1622TI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1622TIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV1622TIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1622TIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换	静态存储器

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