型号等于: | BS61 (2) |
型号起始: | BS61* (1001) BS616* (999) |
所属品牌: | 不限 BSI(1258) ETC(23) |
功能分类: | 不限 静态存储器(1277) 存储(169) 内存集成电路(343) 光电二极管(178) 电池(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1010DCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV1010DCP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EAG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1010EC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1010EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV1010EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 |