型号等于: | BS61 (2) |
型号起始: | BS61* (1001) BS616* (999) |
所属品牌: | 不限 BSI(1258) ETC(23) |
功能分类: | 不限 静态存储器(1277) 存储(169) 内存集成电路(343) 光电二极管(178) 电池(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1011EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1011EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012AC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012AC-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012AC-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012AC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV1012AC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV1012ACG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012ACG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV1012ACP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV1012ACP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012AI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012AI-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012AI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012AI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV1012AI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV1012AIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV1012AIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV1012AIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012AIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV1012EC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012EC-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012EC-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1012EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV1012ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1012ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
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BS616LV1012ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 |