型号等于：	BS61 (2)
型号起始：	BS61* (1001) BS616* (999)
所属品牌：	不限 BSI(1258) ETC(23)
功能分类：	不限静态存储器(1277) 存储(169) 内存集成电路(343) 光电二极管(178) 电池(1)

BS61 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：178

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1010EAG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1012EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1013EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1013ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1013EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1015EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1015ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1015EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1015EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1015EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管

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