型号起始：	BS616LV1010D* (18) BS616LV1010DA* (2) BS616LV1010DC* (8) BS616LV1010DI* (8)
所属品牌：	不限 BSI(18)
功能分类：	不限静态存储器(18) 存储(2) 内存集成电路(2)

BS616LV1010D - 型号起始; 总记录数：18

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1010DA70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, DIE PACKAGE	静态存储器
		BS616LV1010DAG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, GREEN, DIE PACKAGE	静态存储器
		BS616LV1010DC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DCG75 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1010DCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1010DCP75 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DIG75 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010DIP75 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器

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