型号等于：	BS616LV1010EC (2)
型号起始：	BS616LV1010EC* (10) BS616LV1010EC5* (1) BS616LV1010EC7* (1) BS616LV1010ECG* (3) BS616LV1010ECP* (3)
所属品牌：	不限 BSI(9)
功能分类：	不限静态存储器(9) 存储(4) 内存集成电路(4) 光电二极管(4)

BS616LV1010EC - 型号起始; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1010EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010EC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010EC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECG75 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECP75 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器

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