型号等于：	BS616LV1012 (2)
型号起始：	BS616LV1012* (38) BS616LV1012A* (18) BS616LV1012E* (18)
所属品牌：	不限 BSI(37)
功能分类：	不限静态存储器(37) 存储(6) 内存集成电路(14) 光电二极管(6)

BS616LV1012 - 型号起始 - 内存集成电路; 总记录数：14

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1012AC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1012AC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1012ACG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1012ACP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1012AI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1012AI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1012AIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1012AIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1012AIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1012EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路

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