型号等于：	BS616LV1012EC (1) BS616LV1012EI (1)
型号起始：	BS616LV1012E* (18) BS616LV1012EC* (9) BS616LV1012EI* (9)
所属品牌：	不限 BSI(18)
功能分类：	不限静态存储器(18) 光电二极管(6) 内存集成电路(5) 存储(1)

BS616LV1012E - 型号起始; 总记录数：18

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1012EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1012EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器

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