型号等于: | BS616LV161 (1) |
型号起始: | BS616LV16* (134) BS616LV161* (81) BS616LV162* (53) |
所属品牌: | 不限 BSI(119) ETC(15) |
功能分类: | 不限 静态存储器(134) 光电二极管(28) 内存集成电路(48) 存储(18) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1611TC55
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611TC70
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611TCG55
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611TCG70
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611TCP55
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611TCP70
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611TI55
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611TI70
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611TIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611TIP55
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611TIP70
中文翻译 品牌: BSI |
SRAM | 静态存储器 | |||
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BS616LV1611_06
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1611_08
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613FC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613FC-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613FC-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613FC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 | |||
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BS616LV1613FC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV1613FCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV1613FCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV1613FCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613FCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV1613FI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613FI-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613FI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613FI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 | |||
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BS616LV1613FI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV1613FIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1613FIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 |