型号等于：	BS616LV161 (2) BS616LV1611 (1) BS616LV1613 (1) BS616LV1615 (1)
型号起始：	BS616LV161* (82) BS616LV1611* (42) BS616LV1613* (19) BS616LV1615* (19)
所属品牌：	不限 BSI(81)
功能分类：	不限静态存储器(81) 存储(15) 内存集成电路(23)

BS616LV161 - 型号起始; 总记录数：81

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV161 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1611FA-70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611FAG55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611FAG70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611FAP70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611FC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV1611FC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1611FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1611FI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV1611FIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1611FIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611FIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1611TA-55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611TA-70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611TAG55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611TAG70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611TAP55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611TAP70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器

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