型号等于:BS616LV161 (1)
型号起始:BS616LV16* (134) BS616LV161* (81) BS616LV162* (53)
所属品牌:不限 BSI(119) ETC(15)
功能分类:不限 静态存储器(134) 光电二极管(28) 内存集成电路(48) 存储(18)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
BS616LV1622TCP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1622TI
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1622TI-55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1622TI-70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1622TI55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1622TI70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1622TIG55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1622TIG70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1622TIP55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1622TIP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1623
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1623TC
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1623TC-55
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1623TC-70
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1623TC55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1623TC70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1623TCG55
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1623TCG70
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1623TCP55
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1623TCP70
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1623TI
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1623TI-55
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1623TI-70
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1623TI55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1623TI70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1623TIG55
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1623TIG70
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1623TIP55
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV1623TIP70
中文翻译 品牌: ETC
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1626
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
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