型号等于:BS616LV1626 (2)
型号起始:BS616LV1626* (16) BS616LV1626T* (14)
所属品牌:不限 BSI(15)
功能分类:不限 静态存储器(15) 光电二极管(12) 内存集成电路(9)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
BS616LV1626
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1626TC
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1626TC55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1626TC70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1626TCG55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1626TCG70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 静态存储器 光电二极管
BS616LV1626TCP55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1626TCP70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1626TI
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable
非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16或2M ×8位切换
静态存储器
BS616LV1626TI55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1626TI70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48 静态存储器 光电二极管
BS616LV1626TIG55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1626TIG70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1626TIP55
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
BS616LV1626TIP70
中文翻译 品牌: BSI
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 静态存储器 光电二极管
Total:151
总15条记录,每页显示30条记录分1页显示。