型号等于: | BS616LV4010BC (1) BS616LV4010BI (1) |
型号起始: | BS616LV4010B* (13) BS616LV4010BC* (6) BS616LV4010BI* (7) |
所属品牌: | 不限 BSI(13) |
功能分类: | 不限 静态存储器(13) 内存集成电路(8) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
BS616LV4010BC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
![]() |
BS616LV4010BC10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 | |||
![]() |
BS616LV4010BC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 | |||
![]() |
BS616LV4010BCG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV4010BCP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV4010BCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV4010BI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
![]() |
BS616LV4010BI10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV4010BI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV4010BIG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV4010BIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
![]() |
BS616LV4010BIP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 | |||
![]() |
BS616LV4010BIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 |
Total:131
总13条记录,每页显示30条记录分1页显示。