型号等于: | BS616LV4016EC (2) |
型号起始: | BS616LV4016EC* (8) BS616LV4016EC-* (2) BS616LV4016ECG* (2) BS616LV4016ECP* (2) |
所属品牌: | 不限 BSI(7) |
功能分类: | 不限 存储(4) 内存集成电路(4) 静态存储器(7) 光电二极管(4) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV4016EC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4016EC-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV4016EC-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV4016ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV4016ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4016ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV4016ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 |
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