型号等于: | BS616LV4018EC (1) BS616LV4018EI (1) |
型号起始: | BS616LV4018E* (14) BS616LV4018EC* (7) BS616LV4018EI* (7) |
所属品牌: | 不限 BSI(12) ETC(2) |
功能分类: | 不限 静态存储器(14) 光电二极管(12) 内存集成电路(11) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV4018EC
中文翻译 品牌: ETC |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4018EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV4018EI
中文翻译 品牌: ETC |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV4018EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV4018EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 |
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